ROBUSTESSE EN SURCHARGE DES DIODES DE PROTECTION EN SiC.
Tout système électronique peut être soumis à des surtensions ou à des surcharges en courant. Ces évènements, parasites ou accidentels, peuvent provenir du système lui-même (commutation, marche/arrêt…) ou de l’environnement extérieur (foudre, décharge électrostatique). Le rôle des composants de protection est donc de protéger et d’immuniser ces systèmes vis-à-vis de toute perturbation de ce type.
Parmi ces dispositifs, la diode de protection, appelée diode TVS (Transient Voltage Suppressor), permet d’écrêter les surtensions ou de dérouter la surcharge en courant grâce à sa mise en parallèle du circuit à protéger. Ce type de composant, réalisé aujourd’hui sur silicium, et présent sur le marché depuis des décennies, a sans cesse été amélioré. Or, les limitations physiques, tant au niveau du silicium que du boitier, ne permettent pas d’atteindre certains compromis agressifs requis par des applications récentes, comme le photovoltaïque, les charges de véhicules électriques ou les infrastructures 5G.
L’objectif de ce stage est d’évaluer les performances de TVS réalisées en carbure de silicium (SiC). Ce matériau possède en effet un champ de claquage, une conductivité thermique et une température de fusion bien plus élevés que le silicium, ce qui en fait un candidat intéressant pour les nouvelles générations de diode de protection.
Votre mission :
* Dans le cadre de ce stage, mené en collaboration avec le laboratoire du GREMAN (Université de Tours/CNRS/INSA), vous étudierez la robustesse de TVS SiC haute tension (900V).
* Vous caractériserez les dispositifs en surcharge (IPP8/20, 10/1000, autres) comme en continu (VBR, IR).
* A l’aide d’outils de simulation (procédés technologiques, physique du semiconducteur), vous simulerez la structure d’un point de vue process comme d’un point de vue performances électriques.
* Vous évaluerez l’écart entre mesures et simulations et, le cas échéant, vous déterminerez les paramètres physiques à corriger dans l’outils de simulation afin de le rendre plus prédictif.
Votre profil :
* Stage de 5 à 6 mois
* Titulaire d’un BAC +5 (master2 ou diplôme d’ingénieur)
* Solides connaissances en physique du semiconducteur, matériaux, microélectronique
* Une pratique des outils de simulation technologique (Synopsys ou Silvaco) serait un plus
* Motivé, dynamique
Votre lieu de travail :
* Stage basé à Tours au sein du service Recherche et Développement (R&D)
* Interactions nombreuses avec le laboratoire de caractérisation électrique, le laboratoire d’application et le laboratoire GREMAN
* Ce stage pourrait se poursuivre par une thèse CIFRE.
#J-18808-Ljbffr
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