Job description
NOTRE COLLABORATION
Développement de nouvelles architectures 3D permettant le gain en surface des parties analogues pour des produits mémoires embarquées à stockage de charges
La complexité des systèmes dans les applications grand public s’accroit et exige de revisiter l’intégration des composants dans les circuits. De nouvelles solutions offrant plus de compacité et de performance doivent être recherchées, avec un coût de fabrication qui doit rester faible
La diminution de la taille des composants périphériques, tels que les transistors haute tension (HV), reste compliquée, même s'il est possible de réduire la taille du point mémoire. L'approche « more Moore » conduit, dans le cas des transistors HV (High Voltage), à une chute drastique de la tension de claquage ou à une forte augmentation du courant de fuite statique. Pour éviter ces problèmes, il est nécessaire d'explorer de nouvelles architectures de transistors HV
L’intégration de nouvelles solutions architecturales vise à faire évoluer les technologies vers la fabrication de produits toujours plus compétitifs. Des premières études ont permis de montrer la viabilité de l’intégration de transistors compactes (dits à grille verticale) pour des technologies mémoires de types microcontrôleurs, ces nouveaux composants analogiques ont été intégrés avec succès permettant d’obtenir les points mémoires les plus avancés du moment
Ainsi, l’étude menée dans le cadre de cette thèse consistera à développer de nouvelles architectures utilisées dans un environnement mémoire non volatile embarquée (e-NVM). L’objectif étant l’amélioration des paramètres électriques critiques tels que le courant de fuite (IOFF) et la tension de claquage (BV), sans augmentation de la surface totale
Dans ce contexte, les avantages apportés par l’intégration 3D bas coût seront étudiés, deux solutions complémentaires feront notamment l’objet de travaux de recherches
1. Une solution compacte dite passive, il s’agit d’une nouvelle isolation verticale visant à augmenter localement la résistance électrique des zones implantées
2. Une solution compacte dite active (avec grille verticale), il s’agit de nouvelles architectures de transistors N et P MOS qui présenteront des sources planaires ou enterrées [LOCA20]
La simulation TCAD (Technology Computer Aided Design) sera utilisée pour prédire le comportement des solutions envisagées afin de définir les essais qui seront réalisés dans l’unité de fabrication sur des substrat de silicium en 200 mm à Rousset. Des caractérisations physiques et électriques fines seront également réalisées au cours de cette étude. Les zones de faiblesse des architectures pourront ainsi été mises en lumière afin d’être optimisées
L’ensemble de ces solutions aura pour objectif commun de permettre des gains significatifs en surface. Bien entendu, les solutions n’ayant aucun impact sur le fonctionnement des autres dispositifs seront privilégiées pour être intégrés sur les nouvelles plateformes
Profile
VOTRE PROFIL
3. De formation Bac +5 en physique des semi conducteurs ou microélectronique.
4. Vous êtes rigoureux.se, dynamique, autonome
5. Vous maîtrisez les étapes de procédés de fabrication de la microélectronique
6. Vous avez un bon niveau en anglais
POURQUOI NOUS REJOINDRE
Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques. Nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits et des solutions qui répondent à leurs défis et à la nécessité de contribuer à un monde plus durable. Nos technologies de pointe permettent une mobilité plus intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie, de la puissance et un déploiement à grande échelle de l’Internet des objets (IoT) et de la 5G.
ST a reçu les certifications Top Employer France et HappyTrainees 2023. Elles nous reconnaissent en tant qu’employeur de référence et démontrent notre engagement à faire de l’humain une priorité.
VOUS BENEFICIEREZ :
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VOTRE LIEU DE TRAVAIL
A Rousset, nous sommes plus de 3000 personnes avec 30 nationalités différentes. Notre site propose une large palette de métiers offrant ainsi de nombreuses perspectives d’évolution interne.
Au pied de la Sainte Victoire, à 20kms d’Aix-en-Provence et 40kms de Marseille, le site de Rousset allie excellence technologique, respect de l’environnement et qualité de vie.
‘Nous rassemblons 50 000 personnes présentes dans 40 pays et représentant 118 nationalités.
Tous ensemble, nous formons une seule et même ST.
La diversité fait partie intégrante de ce que nous sommes et de ce que nous faisons. Nous sommes convaincus que nous sommes tous des acteurs de l'inclusion et que nous devons apprendre à voir le monde à travers le regard des autres. Nous avons encore un chemin à parcourir mais, chaque jour, nous travaillons ensemble pour créer un lieu de travail plus équitable et plus inclusif, où vous pouvez réaliser tout votre potentiel.’
Position location
Job location
Europe, France, Rousset
Candidate criteria
Education level required
5 - Master degree
Experience level required
Less than 2 years
Languages
9. French (3- Advanced)
10. English (2- Business fluent)
Requester
Desired start date
01/09/2024
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