Cdd chercheur en microélectronique développement des oxydes alternatifs et des procédés technologiques pour l'électronique de puissance h/f

Une des problématiques majeures de transistors HEMT GaN est la forte densité des défauts d'interface entre l'oxyde de grille (high-k) et le canal. En plus la qualité des contacts Schottky au niveau de la grille représente un enjeu majeur, car au-delà d'affecter les performances, leur dégradation impact le fonctionnement même du transistor. Dans ce contexte, la personne recrutée s'attachera à l'élaboration et la caractérisation des différents diélectriques, dont l'AlN, sur le matériau GaN. Dans un deuxième temps, la personne recrutée participera à la fabrication et à la caractérisation électrique de structures de test de type capacité MOS (MOSCAP) à la PTA.
Activités
- Dépôt d'oxyde high-k sur substrat GaN dont l'AlN et analyse physico-chimique de la qualité de l'interface high-k/GaN par X-ray Photoelectrons Spectrocopy (XPS), TEM, Raman et ellipsométrie
- Fabrication des transistors verticaux
- Fabrication de structures de test de type capacité MOS (MOSCAP)
- Analyse des résultats
Compétences
1/ connaissances théoriques
- Physique de composants
- Anglais écrit et parlé
2/ savoir-faire opérationnels :
- Travail salle blanche : maîtrise des règles de sécurité
- Micro- et nano-fabrication
- Caractérisation physico-chimique
3/ Savoir-être :
- Qualités relationnelles (travail en équipe)
- Etre capable de respecter les consignes (travail dans un environnement CEA avec le nécessité de pouvoir appliquer la réglementation du CEA et du CNRS)
Contexte de travail

Le LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 6 équipes dont 4 de recherche et compte environ 90 personnes. Le laboratoire est situé le site du CEA-LETI à Grenoble.
La personne recrutée exercera ses fonctions au sein de l'équipe « Nanomatériaux & Intégration », et travaillera en collaboration avec les autres membres de cette équipe.
Contraintes et risques

aucun