Offre de thèse : epitaxie de supraconducteurs à température cryogénique (h/f)

Informations générales

Intitulé de l'offre : Offre de thèse : Epitaxie de supraconducteurs à température cryogénique (H/F)
Référence : UPR8001-SEBPLI-006
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : lundi 24 mars 2025
Type de contrat : CDD Doctorant
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 octobre 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : 2200€ brut mensuel
Section(s) CN : 01 - Interactions, particules, noyaux du laboratoire au cosmos

Description du sujet de thèse

Les principaux objectifs de cette thèse sont de développer l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) de supraconducteurs (Al, Pb, Sn) à température cryogénique (-150°C) sur isolant (Al2O3), semi-conducteur (GaAs, InAs) et isolants topologiques (BiSb), de caractériser leurs propriétés structurales et également de d'étudier leur supraconductivité à basse température par des mesures électriques. Ces interfaces hybrides sont les éléments fondamentaux des Qubits basés sur les jonctions de Josephson (IBM, Intel, AWS) ou les modes Zéro de Majorana (Microsoft). Dans les systèmes actuels, l'aluminium est le supraconducteur le plus utilisé en raison des techniques de dépôt (pulvérisation, évaporation, MBE), malheureusement, la couche d'Al est polycristalline dans la plupart des cas (pulvérisation, évaporation), et présente des défauts dans les procédés MBE standards.

Le premier objectif de d'étudiant sera de développer la croissance Cryo-MBE de couches Al, Pb Sn sur des substrats isolants et semi-conducteurs (Al2O3, GaAs) et de démontrer la mono-cristallinité de telles couches. Le deuxième objectif est de fabriquer des dispositifs de caractérisation (barres de Hall et fils supraconducteurs) par lithographie par faisceau d'électrons dans la salle blanche du LAAS. Le troisième objectif est de caractériser le comportement supraconducteur de tels dispositifs grâce à une manip de magnétotransport.

Contexte de travail

L'étudant travaillera au LAAS, il/elle sera hébergé(e) par le groupe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (MPN). L'équipe MPN a été créée en 2012 et se concentre sur la synthèse de nouveaux matériaux, leur caractérisation structurale avancée, le développement de procédés technologiques pour la construction de nouveaux dispositifs et enfin leurs caractérisations électriques.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Travail en salle blanche