Vous collaborerez avec trois laboratoires : deux spécialisés en composants sur silicium (LIFT pour le transfert de film et LCRE pour les switchs RF) et un en recherche fondamentale sur les matériaux 2D magnétiques. Ces laboratoires travaillent ensemble depuis plusieurs années et ont développé un système de mesure verticale des matériaux 2D, ainsi que des mémoires et switchs RF à base de MoS2. Ce projet s’inscrit dans cette continuité et soutiendra une thèse sur les matériaux 2D à changement de phase. Le travail se déroulera en trois étapes :
1. Le design des circuits et la réalisation des électrodes en 200 mm
2. L’intégration du matériau 2D dans ces structures
3. La caractérisation électrique et l’analyse des données
Dans un premier temps, vous définirez et réaliserez des structures de test pour mesurer les propriétés électriques et magnétiques dans le plan (TLM, van der Pauw, croix de Hall). Vous concevrez les dimensions, le design, participer à la réalisation des masques, et développerez un procédé d’électrodes en 200 mm avec grille enterrée, en supervisant leur fabrication en salle blanche au Leti.
Ensuite, vous étudierez le transfert, le patterning et la connexion électrique du matériau 2D. Un nouveau transfert avec une couche isolante devra être développé pour éviter les courts-circuits horizontaux. La prise de contact électrique sera optimisée en testant plusieurs métaux pour réduire la résistance de contact. Ces travaux s’appuieront sur l’expertise du CEA Leti et se dérouleront principalement en salle blanche sur coupons centimétriques.
Enfin, vous caractériserez électriquement et magnétiquement les nouveaux matériaux pour transistors et mémoires magnétiques. Vos analyses aideront à comprendre leurs interactions avec l’environnement, contribuant ainsi au développement de nouveaux composants à base de matériaux 2D. Etant donné le caractère novateur de ces travaux, vous serez incité à poser des brevets, à participer à des conférences et à publier dans des journaux à fort impact.
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