En lien étroit avec les techniciens et ingénieurs-chercheurs de l’équipe, et en particulier avec le pilote de la thématique Epitaxie, vous travaillerez en salle blanche, en horaires journée, sur les développements technologiques des procédés d’épitaxie de couches Si et SiGe en 300 mm pour les transistors FD-SOI avancés.
Le respect des engagements pris auprès de nos partenaires et tutelles ainsi que les performances des transistors avancés que nous développons reposent en grande partie sur la qualité de votre travail, qui consistera:
- A développer des procédés innovants d’épitaxie de couches de Si et de SiGe, dopées ou non, sur motifs ou en pleine plaque,
- A réaliser / développer des mesures et caractérisations qui permettront de valider les propriétés des couches épitaxiées développées,
- A contribuer au démarrage d’un nouveau bâti d’épitaxie 300 mm,
- A prioriser le passage des lots de fabrication en fonction des étapes technologiques à réaliser et des degrés d’urgence,
En cliquant sur "JE DÉPOSE MON CV", vous acceptez nos CGU et déclarez avoir pris connaissance de la politique de protection des données du site jobijoba.com.