Chercheur cdd : simulation et fabrication de composants de puissance verticaux innovants (h/f)

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Chercheur CDD : simulation et fabrication de composants de puissance verticaux innovants (H/F)

Cette offre est disponible dans les langues suivantes:

Date Limite Candidature : lundi 18 novembre 2024 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : Chercheur CDD : simulation et fabrication de composants de puissance verticaux innovants (H/F)
Référence : UMR8520-FARMED-015
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : lundi 28 octobre 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2025
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : A partir de 3021.50 euros bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique


Missions

L’objectif de ce contrat de collaboration est l’étude de composants de puissance GaN verticaux réalisés sur le substrat dit SmartGaN for Power en cours de développement au sein de SOITEC. Le programme de travail s’articule comme suit : état de l’art des transistors GaN verticaux, conception/simulation des diodes et transistors sur substrat SmartGaN, réalisation en salle blanche des composants sur substrat SmartGaN et caractérisation électrique et thermique des composants réalisés.


Activités

• Veille bibliographique
• Simulation TCAD (Silvaco) de composants GaN verticaux innovants
• Fabrication de composants en salle blanche (diodes et transistors)
• Caractérisation électrique (DC, pulsé, haute tension etc.), structurale (MEB, AFM, profilomètre…) et thermique des composants fabriqués


Compétences

Nous recherchons une personne motivée pour le travail en salle blanche de type recherche, pouvant s’occuper de différentes étapes technologiques lithographie, dépôts (métaux, diélectriques), gravure (RIE, ICP etc.), dynamique, autonome, sachant prendre des initiatives, aimant le travail en équipe. De formation supérieure, docteur en micro et nanotechnologie, vos compétences matériaux vous permettent d’analyser les problématiques complexes d’intégration de plusieurs étapes technologiques nécessaires à la fabrication de composants électroniques. Vous avez le sens de l’organisation et de l’innovation. Une connaissance en particulier de la simulation de composants électroniques de puissance à partir de matériaux III-V est requise. Le candidat doit être capable de travailler à la fois de manière indépendante et dans un environnement collaboratif.


Contexte de travail

Le projet se déroulera à l'Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies (IEMN) qui est un acteur français majeur dans le domaine des micro/nanotechnologies et de leurs applications (https://www.iemn.fr/en/). L'IEMN fait partie de l'institut INSIS du CNRS (http://www.cnrs.fr/index.php) et de l'Université de Lille (https://www.univ-lille.fr/). Dans le cadre des activités composants électroniques pour l’énergie à l’IEMN, notre équipe (groupe WIND) a pour mission de concevoir et de réaliser des composants électroniques de puissance avec des matériaux grands gap et ultra-grands gaps. Nous souhaitons renforcer notre équipe avec un chercheur CDD ayant en charge la simulation et une partie de la fabrication des composants verticaux pour l’électronique de puissance.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

#J-18808-Ljbffr