Mission :
L'intégration de matériaux semi-conducteurs III-V sur une plateforme technologique Si constitue un défi majeur pour les prochaines années dans le monde de la microélectronique. Les semi-conducteurs III-V offrent une mobilité électronique bien supérieure à celle du Si et du Ge, permettant des fréquences de coupure plus élevées pour les transistors RF. Leur bande interdite ajustable et leur capacité à former des hétérostructures optimisent les performances en haute fréquence et en puissance.
Dans ce contexte, la mission consiste à caractériser les hétérostructures de semiconducteurs III-V et les dispositifs microélectronique permettant d'optimiser la chaine de fabrication dans une salle blanche académique. Le(la) candidat(e) s'attachera à mener notamment des caractérisations structurales (TEM) de haute résolution.
Activités :
- Expertise de la microscopie électronique (TEM, TEM HR, holographie.)
- Connaissance de procédés technologiques en salle blanche (dépôt, lithographie, gravure)
- Maitrise des techniques de caractérisation AFM, MEB, Raman, PL,...
- Analyse des résultats
Experience: Expérience exigée de 1 An(s)
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