Le projet DEGRAF a pour objectif de développer un procédé de retrait substrat et couches buffers par un procédé de gravure électrochimique d’une couche sacrificielle en GaN et caractériser le matériau restant. Le(la) candidat(e) prendra en charge l’intégralité des expériences d’électrochimie et de caractérisation de surface et deviendra la personne incontournable du projet.
Le travail consistera principalement à développer le procédé d’anodisation d’électropolissage du GaN en ajustant les conditions de gravure comme le potentiel, l’électrolyte, la température sur coupons puis de transférer le procédé en 100mm voir 200mm. Ce projet très exploratoire doit permettre la réalisation de µLEDs directives sur des substrats 200mm et se poursuivre en cas de succès dans un projet de plus grande envergure.
The aim of the DEGRAF project is to develop a process for removing substrate and buffer layers by electrochemical etching of a GaN sacrificial layer and to characterise the remaining material. The candidate will be in charge of all the electrochemical and surface characterisation experiments and will become the key person in the project.
The work will mainly consist of developing the GaN electropolishing anodisation process by adjusting the etching conditions such as potential, electrolyte and temperature on coupons, then transferring the process to 100mm or even 200mm. The aim of this highly exploratory project is to produce directional µLEDs on 200mm substrates and, if successful, to continue with a larger-scale project.
The candidate holds PhD in electrochemistry / semiconductor materials / solid state physics.
He / she has technical skills in electrochemistry, semiconductors, but also in materials characterisation (AFM, SEM, ellipsometry, defectivity).
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