Technologie à base de transistor hemt-gan pour des circuits mmic opérant en bande e (h/f)

Informations générales

Intitulé de l'offre : Technologie à base de transistor HEMT-GaN pour des circuits MMIC opérant en bande E (H/F)
Référence : UMR8520-FRELEF-178
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : mercredi 13 novembre 2024
Type de contrat : CDD Doctorant
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 février 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : 2200 euros bruts mensuels
Section(s) CN : 8 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Description du sujet de thèse

Les technologies des communications hyperfréquence ont connu une croissance extraordinaire durant les dernières décennies. Le nitrure de gallium (GaN) a été identifié comme le semiconducteur qui prendra le relai du silicium (Si) pour répondre aux besoins de plus en plus exigeants du marché. Ceci s’explique par les paramètres physiques du matériau GaN qui dépassent largement ceux du Si. L’objectif de cette thèse est la mise au point de transistors HEMT-GaN à faible longueur de grille à enrichissement qui permettra la fabrication de circuits fonctionnant en haute fréquence. Les travaux de cette thèse se feront dans le cadre du projet ANR Sky-GaN. Dans ce contexte, notre objectif est la fabrication et la modélisation de transistor HEMT-GaN Normally-off ayant des fréquences de coupure supérieures à 250GHz. Ces composants seront utilisés comme composants de base pour fabriquer des amplificateurs de puissance MMIC opérant dans la bande E.

Contexte de travail

Le candidat(e) recruté(e) participera au ‘process’ de fabrication, modélisera les composants fabriqués et réalisera le design kit de la technologie mis au point dans le cadre de cette thèse. Il doit être très motivé par la recherche expérimentale et avoir de bonnes bases en physique des composants et des mesures RF. Il doit être autonome, avoir le sens de l’expérimentation et du travail en équipe.
Cette thèse est une formation en cotutelle entre l’université de Lille (France) sous la direction de Kamel Haddadi, Professeur et Nicolas Defrance, Maitre de Conférences (CNRS-UMR8520) et l’Université de Sherbrooke (Canada) sous la direction de Hassan Maher, Professeur (CNRS-UMI3463). Les travaux de recherche prévus dans le cadre de cette thèse auront lieu au laboratoire IEMN (Institut d’Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologies), Unité mixte de Recherche (Université de Lille, CNRS, Polytech’Lille) et au laboratoire LN2 (Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes), Unité Mixte Internationale CNRS installée dans les laboratoires de l’Université de Sherbrooke (Québec, Canada). Le candidat sera amené à travailler en alternance de 6 mois sur les deux sites.

Profil recherché : Ingénieur, Master 2 (M2) ou équivalent. Compte-tenu du caractère pluridisciplinaire du sujet, différents profils de candidats sont recevables : électronique, électromagnétisme, matériaux, semi-conducteurs.
Un très bon niveau d’expression écrite et orale en français et en anglais est attendu, de même qu’un goût marqué pour l’expérimentation. Des qualités relationnelles sont requises ainsi que de la rigueur et de la curiosité scientifique.


Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Déplacements réguliers au Canada