Description de l'offre
Le sujet de ce stage se place dans un contexte de développement de technologies de fabrication de cellules photovoltaïques (PV) silicium à simple jonction. L’amélioration des rendements au niveau des cellules implique de nouvelles méthodes d’interconnexion de ces cellules découpées en 2 parties (""half cells""), 4 ou 6 parties (""shingle"") dans le module. A ce titre il est primordial de développer des procédés de passivation des bords découpés pour minimiser les pertes de performances occasionnées par ces zones défectueuses. L'objectif du stage sera de tester différents méthodes de passivation des bords sur des cellules de type ""shingle"". Pour cela, des équipements industriel et de laboratoire pour la réalisation, la découpe et la passivation des bords de cellules c-Si seront utilisés, ainsi que des techniques de caractérisations adaptées.
Dans le cadre de ce stage, le travail consistera globalement en:
1/ Evaluer les pertes occasionnées par différentes méthodes de découpe des cellules
2/ Caractériser l'effet de passivation de couches diélectriques sur les bords de cellules découpées
Profil du candidat
De formation Bac+4 ou Master1, vous êtes à la recherche d'un stage de 5 mois pour valider votre année.
Compétences scientifiques : Physique des matériaux, semi conducteur
Vous êtes reconnu(e) pour votre : rigueur, autonomie, polyvalence, sens de l'analyse,
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