(h/f) épitaxie d'oxydes cristallins pour la photonique du silicium

(H/F) Épitaxie d'oxydes cristallins pour la photonique du silicium

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Date Limite Candidature : lundi 17 février 2025 23:59:00 heure de Paris

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Informations générales

Intitulé de l'offre : (H/F) Épitaxie d'oxydes cristallins pour la photonique du silicium
Référence : UMR9001-THOMAR-007
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PALAISEAU
Date de publication : lundi 27 janvier 2025
Type de contrat : CDD Doctorant
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 mai 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : La rémunération est d'un minimum de 2200,00 € mensuel
Section(s) CN : 8 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique


Description du sujet de thèse

La photonique du silicium, c'est-à-dire l'utilisation du silicium pour les circuits de la photonique intégrée, est apparue au niveau industriel il y a plus d'une décennie et est maintenant une technologie bien établie. Pour les futurs réseaux de communication, de nouveaux défis doivent être relevés en termes de vitesse, de consommation d'énergie, de flexibilité et de fiabilité. Au C2N, nous explorons actuellement un nouveau paradigme pour les circuits photoniques avancés, basé sur l'intégration d'oxydes cristallins dans la plate-forme photonique sur silicium pour la gamme de longueurs d'onde des télécommunications (1,3µm-1,55µm). Cela permettra d'obtenir plusieurs propriétés physiques inexistantes dans le silicium, telles que la ferroélectricité, et donc de créer des dispositifs non linéaires et optoélectroniques avancés.
Ce projet doctoral se concentrera sur la croissance de films minces de zircone dopée (ZrO2) sur des substrats monocristallins, et en particulier sur l'étude de l'interaction entre le dopant et la déformation induite par le substrat pour stabiliser une phase ferroélectrique de ZrO2 à une épaisseur de 50 nm ou plus. Des résultats prometteurs ont déjà été obtenus à cet égard à C2N avec des films de ZrO2 obtenus par dépôt laser pulsé (PLD), ouvrant la voie à l'étude d'une ingénierie des dopants. Un nouveau système d'épitaxie par jets moléculaires (MBE) a été mis en service en 2024 et va permettre un meilleur contrôle des dopants et de la stœchiométrie en oxygène dans ces composés.


Contexte de travail

Le C2N (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies) est une unité mixte de recherche de l’Université Paris-Saclay et du CNRS. Le laboratoire compte environ 410 personnes et la recherche y est organisée en 4 départements (Photonique, Nanoélectronique, Microsystèmes et nano-bio-fluidiques, Matériaux).
Le travail de thèse sera mené au sein de l'équipe OXIDE (oxydes intégrés dans les dispositifs) du département Matériaux du C2N, en étroite collaboration avec l'équipe MINAPHOT (photonique intégrée sur silicium) du département Photonique.
Tous les moyens expérimentaux pour le projet sont disponibles dans la salle blanche du C2N, ainsi que les outils pour les caractérisations structurelles, optiques et électriques des échantillons dans des plateformes dédiées.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.


Contraintes et risques

Une grande part du travail expérimental sera réalisée en salle blanche, avec environnement contrôlé.

#J-18808-Ljbffr