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Ingénieur de recherche H/F : Modélistation électrothermique de transistor bipolaire à hétérojonction III-V sur InP
Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Date Limite Candidature : lundi 25 novembre 2024 23:59:00 heure de Paris
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Informations générales
Intitulé de l'offre : Ingénieur de recherche H/F : Modélistation électrothermique de transistor bipolaire à hétérojonction III-V sur InP
Référence : UMR7252-RAPSOM-008
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : BRIVE LA GAILLARDE
Date de publication : lundi 4 novembre 2024
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2025
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Rémunération minimum 2847,42€
Niveau d'études souhaité : Niveau 7 - (Bac+5 et plus)
Expérience souhaitée : Indifférent
BAP : Sciences de l'Ingénieur et instrumentation scientifique
Emploi type : Expert-e électronicien-ne
Missions
Les missions relatives à ce travail sont diverses et variées. Il s'agit d'une part de réaliser des caractérisations thermiques des matériaux innovants qui vont servir à la fabrication de transistors HBT InP dans le cadre du PEPR T-REX-6G. Les moyens mis en œuvre seront la technique de thermoréflectance et la mesure 3omega. D'autre part, l'ingénieur devra réaliser les simulations thermiques des divers dispositifs qui seront conçus dans le projet. Il devra également participer aux diverses réunions d'avancement du projet et travailler de concert avec les partenaires du projet notamment pour élaborer un modèle électrothermique du transistor HBT InP.
Activités
- recherche et modélisation thermique de composants HBT InP
- mesures thermiques par thermoréflectance
- mesures thermiques par méthode électrique de type 3omega
- modélisation électrothermique de HBT InP
Compétences
- compétences en simulation thermique
- compétence en mesures thermiques
- connaissance de la modélisation électrothermique de transistors
- savoir travailler en équipe
Contexte de travail
Ce travail a pour cadre du projet PEPR T-REX 6G est une proposition en rupture et innovante pour adresser le défi de l'augmentation des vitesses de transmission sans fil et ce jusqu'à une distance de l’ordre du km. Pour ce faire, le projet s'appuie sur le développement d’un transistor bipolaire à double hétérojonction (DTBH), un tel DTBH sur InP garantissant une tension de claquage élevée jusqu'à 4-5 V, un fonctionnement à haute fréquence jusqu'à 1 THz, pour obtenir un émetteur à forte puissance à 300 GHz. Le poste se situe au laboratoire XLIM UMR CNRS 7252, dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques
Aucune
#J-18808-Ljbffr
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